垂直成長奈米級鑽石結構及其製法Vertical aligned nano-scale diamond structure and process for fabricating the same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/068,254

專利證號

US 7,527,860 B2

專利獲證名稱

垂直成長奈米級鑽石結構及其製法Vertical aligned nano-scale diamond structure and process for fabricating the same

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2009/05/05

技術說明

本發明提供一種包括鑽石奈米針或奈米管之垂直成長奈米級鑽石結構，更特別地，本發明揭示用於將此鑽石結構沈積於粗糙多晶鑽石基板上之裝置及方法。 A vertical aligned nano-scale diamond structure comprising diamond nanotip or nanotube is provided. More particularly, apparatus and method are disclosed for depositing such diamond structure on a rugged polycrystalline substrate.

備註

本部(收文號1050048245)同意該校105年7月11日清智財字第1059003575號函終止維護專利19件(清華)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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