矽異質接面太陽能電池的製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

201010226886.3

專利證號

CN102315312B

專利獲證名稱

矽異質接面太陽能電池的製程

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/11/13

技術說明

本發明關於一種矽異質接面太陽能電池的製程，所述的矽異質接面太陽能電池包含一第一電性矽基板、分別形成於第一電性矽基板兩側並與第一電性矽基板形成異質接面的一第一本質矽層與一第二本質矽層、分別形成第一本質矽層與一第二本質矽層上的第二電性矽層與第一電性重摻雜型矽層；其中本發明以離子佈植的方式形成該第二電性矽層與第一電性重摻雜型矽層，以優化第二電性矽層與第一電性重摻雜型矽層的厚度與摻雜品質。發明所屬之技術領域，為一種矽異質接面太陽能電池的製程，尤指一種降低製造成本並提高轉換效率的矽異質接面太陽能電池的製程。 The present invention relates to a method for fabricating silicon heterojunction solar cells, and particularly to a method for fabricating a silicon heterojunction solar cell, which can reduce the fabrication cost and increase the photoelectric conversion efficiency.

備註

本部(收文號1090057669)同意該校109年9月15日清智財字第1099006426號函申請終止維護專利(清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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