光二極體之結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093126558

專利證號

I 233705

專利獲證名稱

光二極體之結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2005/06/01

技術說明

本發明係為一種光二極體之結構，其結構為p-i-n磊晶層形成於半絕緣導體基板上，其p-i-n磊 晶層由P摻雜層、本質層、N摻雜層磊晶形成，在本質層(吸光層)中加入低生命載子週期的半導 體材料和一般單晶的半導體材料層，可降低電容，增加元件輸出功率，改善載子傳輸時間和本 質層電容設計上的牴觸(trade-off)。

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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