具有矽奈米結構的矽基板與其製造方法及應用

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099115531

專利證號

I 472478

專利獲證名稱

具有矽奈米結構的矽基板與其製造方法及應用

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2015/02/11

技術說明

本發明實施例提供一種具矽奈米結構之矽基板的製造方法，包含：提供一矽基板；形成一氧化層在矽基板上；沈浸矽基板於一含氟溶液，含氟溶液包含一金屬離子，所述金屬離子被還原形成複數個金屬奈米結構在矽基板表面，氧化層使得沈積的金屬奈米結構密度增加；以及浸沒矽基板於一蝕刻溶液，以蝕刻位於所述金屬奈米結構下方的矽，未被蝕刻的矽形成複數個矽奈米結構，由於金屬奈米結構密度增加，使得矽奈米結構密度增加，由於矽奈米結構密度增加使抗反射作用效果提昇，將可應用於目前的矽基板太陽電池。 本發明的目的在於提供一種具有矽奈米結構的矽基板以及其製造方法與應用，其中矽奈米結構能在寬廣的波長範圍，較佳為全波長範圍，包含紫外光、紅外線、可見光的波長範圍，提供良好的抗反射效能，另外，矽奈米結構的表面積不會大幅增加，應用矽奈米結構之光電元件的效率不會降低。 根據上述目的，本發明實施例提供一種具複數個矽奈米結構之矽基板的形成方法，包含下列步驟：提供一矽基板；形成一氧化層在矽基板上；沈浸矽基板於一含氟溶液，含氟溶液包含一金屬離子，含氟溶液蝕刻氧化層直到暴露出矽基板的一表面，所述表面具有矽氫鍵結佔據區域與矽氫鍵結未佔據區域，金屬離子被還原並沈積在矽氫鍵結未佔據區域以形成複數個金屬奈米結構；以及浸沒矽基板於一蝕刻溶液，以蝕刻位於金屬奈米結構下方的矽，未被蝕刻的矽形成所述複數個矽奈米結構。 根據上述目的，本發明實施例提供一種矽基板，包含複數個矽奈米結構，其中複數個矽奈米結構的分布密度等於或大於每平方微米二十個矽奈米結構(20 pieces/μm2)。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

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33669945

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