電漿輔原子層沉積系統

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100126276

專利證號

I 522489

專利獲證名稱

電漿輔原子層沉積系統

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2016/02/21

技術說明

一種電漿輔原子層沉積系統係用於在基板上生成薄膜，具有電漿腔體、製程腔體、多個遮板以及撥動件。該電漿腔體為由兩個同軸心之不同管徑的石英管所構成，故能有效把反應電漿均勻分布並侷限於上述兩個石英管之間的環狀空間內，且藉由該些遮板上通孔的對齊與錯開，使反應電漿得均勻照射至基板的大部分面積，而於基板均勻生成薄膜與奈米顆粒，還可透過該些遮板的相對旋轉快速地啟閉該製程腔體與電漿腔體的連通，而在適當時候中止反應電漿進入該製程腔體，以避免CVD情形出現。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址