二維晶體的長晶方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104107364

專利證號

I 551736

專利獲證名稱

二維晶體的長晶方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中正大學

獲證日期

2016/10/01

技術說明

本發明提供一種快速連續製備大尺寸石墨烯薄膜的裝置，該裝置包括熱源、卷對卷和氣瓶，所述卷對卷帶動催化金屬薄層移動，並穿過密閉石英箱；分裝在氣瓶中的保護氣體、氫氣和碳源通過管路進入密閉石英箱；密閉石英箱與真空泵連接，以保持氣體的流動性和較低的氣壓；所述熱源為雷射器，雷射器發射出的雷射光束透過密閉石英箱照射在催化金屬薄層的表面對其進行逐行掃描加熱。本發明解決了在傳統管式爐中由於金屬薄層整體受熱造成高溫下金屬薄層受力變形甚至拉斷的問題。將該裝置應用於製備大尺寸石墨烯薄膜時，可實現大尺寸石墨烯薄膜均勻、快速、連續的生長，也可以對石墨烯薄膜生長區域進行更為精確的控制。 A method of manufacturing a graphene monolayer on insulating substrates from CVD graphene synthesis, comprising: applying a thermal release adhesive tape to the bottom graphene layer deposited at the bottom of the metal foil in the CVD graphene synthesis, detaching the thermal release adhesive tape and the bottom graphene layer from the metal foil via the application of heat, from 1° C. up to 5° C. higher than the release temperature of the thermal release adhesive tape so that the thermal release adhesive tape with the bottom graphene layer can be removed, obtaining a metal foil with a top graphene layer sample, and transferring the top graphene layer onto a substrate via a sacrificial protective layer

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉授權中心

連絡電話

05-2720411轉16001

網址