薄膜電晶體之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098124483

專利證號

I 462183

專利獲證名稱

薄膜電晶體之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/11/21

技術說明

本發明一種薄膜電晶體之製造方法，首先提供一基板，並於基板的側面上依序形成一介電層及一氧化物薄膜。接著，對氧化物薄膜照射紫外波段光源以進行光退火製程，而氧化物薄膜吸收紫外波段光源並產生熱能，以最佳化薄膜鍵結型態、修正薄膜可能存在之不穩定鍵結、或減少懸浮鍵結，以達修復低溫成長所得之氧化物薄膜缺陷的目的。最後，執行一光罩製程，而於氧化物薄膜上形成源極與汲極。藉由以上的製造程序以製造高效能的薄膜電晶體結構。

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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