具有奈米雙晶銅之電性連接體、其製備方法、以及包含其之電性連接結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101143398

專利證號

I 482231

專利獲證名稱

具有奈米雙晶銅之電性連接體、其製備方法、以及包含其之電性連接結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/04/21

技術說明

本發明係有關於一種具有奈米雙晶銅之電性連接體、其製備方法、以及包含其之電性連接結構。本發明之具有雙晶銅之電性連接結構之製備方法，係包括步驟：(A) 提供一第一基板﹔(B) 於該第一基板之部分表面形成一奈米雙晶銅層﹔(C) 將一焊料配置於該奈米雙晶銅層之表面﹔以及(D)進行回焊以使該焊料與奈米雙晶銅層接合，其中，該焊料至少部分轉換為一介金屬化合物(intermetallic compound, IMC)層，該介金屬化合物層係包括有一Cu3Sn層。本發明技術使得焊料與奈米雙晶銅所反應在介金屬化合物與銲錫界面的孔洞減少，提升接點可靠度。 An electrical connecting element, a method of fabricating the same, and an electrical structure comprising the same are disclosed. The method of fabricating the electrical connecting element of the present invention comprises steps: (A) providing a first substrate; (B) forming a first nano-twinned copper layer on part of a surface of the first substrate; (C) forming a solder on the nano-twinned copper layer of the first substrate; and (D) reflowing the nano-twinned Cu layer and solder to produce a solder joint, wherein at least part of the solder reacts with the nano-twinned copper layer to produce an intermetallic compound (IMC) layer which comprising a Cu3Sn layer. This invention reduces the voids formation in the interface of the intermetallic and the solder, and then enhancing the reliability of solder joint.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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