CMOS微機電懸臂結構/CMOS-MEMS CANTILEVER STRUCTURE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098141974

專利證號

I 433809

專利獲證名稱

CMOS微機電懸臂結構/CMOS-MEMS CANTILEVER STRUCTURE

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2014/04/11

技術說明

本發明係為一種CMOS微機電懸臂結構，其包括基板、電路結構及懸臂樑。基板上定義有電路區及感測元件區，而電路結構形成於基板上之電路區內，懸臂樑設置於感測元件區內，並且懸臂樑具有一端懸浮於基板之上方以及另一端連接電路結構。藉此，本發明之CMOS微機電懸臂結構可以具有一簡單之製造過程，同時更可具有一輕薄結構之懸臂樑，並且有較高之感測靈敏度。 The present invention discloses a CMOS-MEMS cantilever structure. The CMOS-MEMS cantilever structure includes a substrate, a circuit structure and a cantilever beam. The substrate has a circuit area and a sensor unit area defined thereon. The circuit structure is formed in the circuit area. The cantilever beam is disposed in the sensor unit area with one end floating above the substrate and the other end connecting to the circuit structure. With the above arrangement, the manufacturing process of CMOS-MEMS cantilever structure of this invention can be simplified. Furthermore, the structure of the cantilever beam is thinned and therefore has a higher sensitivity.

備註

本部(收文號1090028278)同意該院109年5月15日國研授半導體企院字第1091300562號函申請終止維護專利(國研院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

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