多層膜累崩光二極體結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092116328

專利證號

I224401

專利獲證名稱

多層膜累崩光二極體結構

專利所屬機關 (申請機關)

修平學校財團法人修平科技大學

獲證日期

2004/11/21

技術說明

本發明提出一種新穎的多層膜累崩光二極體，此元件具低累崩雜訊及高增益，本發明提供一由 非晶質矽本質型的吸光區用以提高光吸收的效率，入射光於吸光區產生光電子電洞對。累崩區 由三個重複的累崩單元所組成，每一個累崩單元由P-I-N型非晶碳化矽/I型非晶矽/T型非晶碳 化矽多層膜所構成。由吸光區所產生的電子注入累崩區經P-I-N型非晶碳化矽的內建電場加 速，經過N型非晶碳化矽/I型非晶矽時因光能帶不連續而造成超加速，而於/I型非晶矽產生累 崩而碰撞游離出電子電洞對，二次電子連同原來的入射電子繼續進入下一累崩單元而使光電子 訊號加以放大。因累崩所產生的電洞經高光能隙的非晶碳化矽而冷卻並進入吸光區，連同吸光 區因光所產生的電洞進入P+型電極。結果輸出較高的光電流且具低過雜訊!

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究計畫組

連絡電話

0424961100轉6412

網址