氣體檢測晶片及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

107129403

專利證號

I 672487

專利獲證名稱

氣體檢測晶片及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣師範大學

獲證日期

2019/09/21

技術說明

近年來，由於空氣污染防治及工業上迫切需要，在開發新穎的感測元件技術 於氣體檢測(Gas detection)之應用，是日顯重要與被關切的課題。不同於以往 使用的真空製程製作奈米線(Nanowire)技術，本研究計畫是在非真空環境下， 利用水熱法(Hydrothermal method)或利用奈米材料(Nano-materials)在電極上 製作氣體感測層，再者，本研究利用超短脈衝(Ultrashort)之皮秒雷射 (Picosecond laser)源，進行導電結構圖案化製程，以進行該電極(Electrode)結 構元件的製作。因此，透過本研究可建構流體異質奈米線元件於氣體檢測平 臺之應用，將有助於合作廠與研究單位促使產品的研製，以能落實研發與達 成產業升級之目標。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

77341329

網址