改善發光二極體之電流分布

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091109724

專利證號

179797

專利獲證名稱

改善發光二極體之電流分布

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2003/06/11

技術說明

本發明可以簡單的、經濟的、實用的製程程序來增加發光二極體的 亮度，且相較於目前應用於增加磷化鎵(GaP)厚度的製程方法，更有 利於解決高電流時的電流擁擠及元件焦耳熱問題，以提高操作在高 電流時的高亮度應用，且並無其他類似發明或專利，具備了專利申 請的利用性、新穎性、及進步性等條件。在製程上，相對於一般提 高電流分佈效率的方法，如內建電流阻障層(current blocking)﹑ 成長夠厚且品質好的磷化鎵(GaP)及度一層氧化銦錫(ITO)，有較簡 易的製程步驟。理論上,相似於P-pad指叉型金屬可提高電流分佈,我 們可以簡單的說此薄膜扮演了透明,導電的P電極功用,而不會有電流 侷限在金屬周圍而產生的光被擋住之情形發生,均勻的將電流分布到 半導體元件,又提高了發光面積。 The invention can increase light output in brief and economical process . By comparison ,the new layers have proved to be as effective as much thicker (i.e. 5000nm) GaP . Its effectiveness as a spreading layer to solve high current crowding effect and suit with high brightness light emitting diodes application .In fabrication of product , it has easier method than current blocking or much thicker GaP or ITO to improve the current spreading effect .In theory , it is like the p-pad metal with pattern to improve current spreading effect . In brief , the thin films act transparent conductor like ITO but without GaAs .So, it can avoid light being absorbed in GaAs.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

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