磁性穿遂接面結構之絕緣層檢測法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094103046

專利證號

I259281

專利獲證名稱

磁性穿遂接面結構之絕緣層檢測法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2006/08/01

技術說明

鐵磁材料/絕緣體/鐵磁材料為基本結構的研究最近快速的蓬勃發展，主因乃是由於該結 構可用於磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)甚至是其他高密度磁讀寫頭。此結構在製成上最 大的挑戰乃是產生一層適當且非常薄的絕緣層。由於絕緣層非常薄，因此檢測的方式通 常較為繁雜且耗時，因此在MRAM應用上發展一個快速且可靠的方法檢測超薄絕緣層的品 質是非常必須且重要的，首先我們利用濺鍍法成長具有各種不同絕緣層品質的磁性穿遂 接面，接著量測這些穿遂接面各自對應的磁電阻比率與接面電阻，然後再進行這些磁性 穿遂接面的高頻特性量測；我們發現不同絕緣層品質的磁性穿遂接面之高頻特性可以很 清楚的分辨超薄絕緣層品質的優劣與否。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址