浮閘記憶體的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097124762

專利證號

I 488311

專利獲證名稱

浮閘記憶體的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2015/06/11

技術說明

本發明提出利用氣液固（Vapor-Liquid-Solid，VLS）方法藉由金或金矽合金奈米顆粒在低於450℃的溫度下對矽烷催化生長出矽奈米晶形成異質奈米結構，利用異質奈米晶的複合能障替代傳統金屬和半導體奈米晶的單能障作為浮閘存儲，延長浮閘記憶體之存儲時間。此外，金矽異質奈米晶浮閘記憶體亦可抑制和避免單質金奈米晶浮閘記憶體在後續高溫工藝中金奈米晶向隧穿氧化層中的擴散，從而提高金屬奈米晶浮閘記憶體的可靠性。 （2） 本發明想要保護的部份： 利用氣液固（VLS）方法藉由金或金矽合金奈米顆粒在低於450℃的溫度下對矽烷催化生長出矽奈米晶形成金矽異質奈米晶並應用於浮閘記憶體的製備方法。 A manufacturing method for floating gate memory comprises:constructing a tunneling oxide on a substrate of semiconductor；forming a plurality of nanopariticles on the tunneling oxide；forming hetero-nanocrystal on the tunneling oxide by VLS method；constructing an oxide layer on the surface of the tunneling oxide to cover the hetero-nanocrystal；and depositing an electrode on the oxide layer. Consequently, the invention can improve the producing efficiency and lower the cost of production.

備註

本部(收文號：第1080067117號)同意該校108年10月8日中產營字第1081401079號函通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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