TERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORYTERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORY

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/954,935

專利證號

US 9,484,096 B1

專利獲證名稱

TERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORYTERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORY

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2016/11/01

技術說明

未來大數據時代中，雲端運算進行多筆資料傳輸、複雜運算耗能之大，通常都會使用過濾器如：三元內容循址記憶體於各種平台介面間，可先將接收到的資料進行快速比對過濾，就能大幅減少高耗能傳輸的資料量，以達到省能效用。然而傳統靜態隨機存取器需要兩組SRAM儲存三種資料、為16顆電晶體組成的記憶胞，使得系統面積有限的情況下，傳統TCAM容量小；此外隨製程微縮， 此技術研究三元內容循址記憶體，來達到面積小、搜尋速度快、低耗能的需求。 The instant disclosure relates to a ternary content-addressable memory; in particular, to a ternary content-addressable memory with read port and write assist.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址