奈米碳管導電薄膜的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097150219

專利證號

I 384496

專利獲證名稱

奈米碳管導電薄膜的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2013/02/01

技術說明

本專利利用超音波霧化法配合旋轉塗佈法製備二為網狀導電薄膜，其導電薄膜透光率80%（550 nm），導電率電阻320-/sq，至少折彎曲撓50次。本專利利用超音波霧化法配合旋轉塗佈法製備二為網狀導電薄膜，其導電薄膜透光率80%（550 nm），導電率電阻320-/sq，至少折彎曲撓50次。本專利利用超音波霧化法配合旋轉塗佈法製備二為網狀導電薄膜，其導電薄膜透光率80%（550 nm），導電率電阻320-/sq，至少折彎曲撓50次。 A two-dimensional honeycomb netwo rk structure of pure multi-walled carbon nanotubes (MWCNT) was investigated after film fabrication via the spin-coating method and ultrasonic atomization. The open windows and conducting sticks within MWCNT textures might be applicable to transparent conducting films. The 320-/sq sheet resistance (80% transparency at 550 nm) of our MWCNT films exhibited no degradation after the film was flexed and folded > 50 times.

備註

本部(收文號1060063873)同意該校106年8月10日興產字1064300420號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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