脈衝雷射蒸鍍系統

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102133097

專利證號

I 472635

專利獲證名稱

脈衝雷射蒸鍍系統

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2015/02/11

技術說明

本發明對紫外光脈衝雷射系統提出全新的設計，為了使脈衝雷射一次能夠蒸鍍多種材料，我們在腔體上設置多個雷射窗口使多道雷射可以射入腔體；同時，內部設置多個靶位，每一靶位可以放置相同或是不同成份的靶材，同時利用分光鏡將雷射分光並以反射鏡及聚焦透鏡等鏡組將紫外光準分子雷射同時打入腔體之雷射窗口，最後打在靶材上進行雷射蒸鍍。上述優點，可以使此新型脈衝雷射蒸鍍系統製作出三元以上化合物半導體材料；同時，也可以用來製作摻雜等傳統脈衝雷射系統無法做出的材料。 本發明也對腔體內的載台(放置基板用)重新設計，除了可以放置六吋或是更大的基板外，也可以利用載具放置小於六吋之基板，另外，為了要蒸鍍大面積的基板，我們將靶材與載台(基板)之間的距離拉長；同時，靶材與載台的距離可以自由調整。上述優點能夠解決目前傳統脈衝雷射蒸鍍系統無法在大面積基板磊晶之問題，為相當具有潛力取代傳統PLD甚至是MOCVD及MBE之發明。 To deposit multi-target, we append more laser port on the chamber. With groups of lens, we can split the laser beam into multiple beams and guide them into the chamber simultaneously. The novel pulsed laser deposition system can then deposit multiple targets simultaneously and enables us to fabricate ternary or quaternary III-V semiconductors. It can also be applied on the doping III-V semiconductors. Another advantage is that we redesign the substrate holder to enable it put much larger substrate in the PLD system.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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