Single-Photon Detector Having Multiple Avalanche Layers

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/893,501

專利證號

US 11,101,399

專利獲證名稱

Single-Photon Detector Having Multiple Avalanche Layers

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2021/08/24

技術說明

一種面射型雷射陣列，係將GaAs基板磨薄到介於100~200微米後於一面上蒸鍍上一層金層，再電鍍上一層厚度介於50~100微米的銅層，並在該GaAs基板另一面上設有數個磊晶層結構，每一磊晶層結構具有經由蝕刻程序沿著側壁處部分去除VCESL之鋁複合層而形成一在發光區上方或下方之下切結構（Undercut Structure），以及經由摻雜擴散製程將分佈式布拉格反射鏡（DBR）頂部中央區域周圍不同組成之多晶層（Multi-Layer）選擇性地呈非序排列（Disorder）為單一組成之單晶層（Single Layer）而形成一低反射率且厚度在0.1微米以內之擴散結構，俾使該分佈式布拉格反射鏡成為可控制光學模態數目之DBR反射鏡，可將腔內光學模數由原本多模變成單模，使發散角窄化，可在不增加臨界電流下即可達到高品質的輸出光束，藉此種光波掃描物件，可得到清楚的結果，解析度也能較高，因而可適用於人臉辨識使用，可達成辨識度、安全性高的臉部辨識。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址