雙面探針量測校正結構與校正方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110106680

專利證號

I 747750

專利獲證名稱

雙面探針量測校正結構與校正方法

專利所屬機關 (申請機關)

元智大學

獲證日期

2021/11/21

技術說明

本發明使用新創的 unknown-Thru-Reflect-Line（uTRL）微波量測校正技術，對平面式電路其垂直連線結構進行雙面探針之雙埠散射參數量測，而垂直連線結構之電磁特性完全不須事先知道，於校正完成後即可推得。本發明可用之於半導體矽穿孔、玻璃穿孔或印刷變路板電鍍穿孔等精細垂直連線結構之特性量測，對3D-IC或高密度封裝等精密電子產業往高速／高頻發展提供更可靠的驗證工具。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

(03)4638800#2286

網址