多元合金材料層、其製造方法及半導體裝置的電容結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

111115887

專利證號

I 801222

專利獲證名稱

多元合金材料層、其製造方法及半導體裝置的電容結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2023/05/01

技術說明

應用於半導體元件閘極之多元金屬材料

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址