利用在此同一波長光源臨場監測感光或含碳氫成分之薄膜材料抗極紫外光輻射性的量測方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099127764

專利證號

I 414773

專利獲證名稱

利用在此同一波長光源臨場監測感光或含碳氫成分之薄膜材料抗極紫外光輻射性的量測方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄大學

獲證日期

2013/11/11

技術說明

一種利用在此同一波長光源臨場監測感光或含碳氫成分之薄膜材料抗極紫外光(EUV)輻射性的量測方法，其是在一真空腔室系統中利用一EUV光源先對感光光阻或含碳氫成分之底層等薄膜材料進行低劑量轉動掃瞄，以取得薄膜材料之鏡面反射率變化曲線及推知其光學參數(n、k、T)起始值，接著並在同一真空腔室系統中利用同一波長的EUV光源，取得薄膜材料之光學參數(n、k、T)最終值，而與起始值比對得到膜厚損失，以供評估薄膜材料的抗EUV輻射性。 A detection method for in situ monitoring resistance of photosensitive or hydrocarbon-containing thin-film materials upon extreme ultraviolet (EUV) irradiation using actinic EUV light source is provided. The method can obtain a specular reflectivity variation curve of the thin-film materials and initial values of optical parameters (n, k, T) ; and then usie the same wavelength EUV light source to calculate the thickness loss of the thin-film materials for evaluating the resistance of the thin-film materials upon EUV irradiation.

備註

依111.12.20.本會111年第4次研發成果管理審查會決議辦理 本會(收文號1110047863)同意該校111年7月26日高大研發字第1111400173號函申請終止維護專利(國立高雄大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

07-5919100

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