發光二極體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093141078

專利證號

I 246784

專利獲證名稱

發光二極體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2006/01/01

技術說明

一種發光二極體的製造方法，其包括下列步驟。首先，在一磊晶基板上依序形成一第一型摻雜 半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。然後，在第二型摻雜半導體層上形成一金 層。提供一矽晶板，並對於矽晶板與金層進行一晶圓接合製程，然後移除磊晶基板。基於上 述，本發明之發光二極體的製造方法能夠製造出具有較佳可靠度與較佳發光效率的發光二極 體。特別地，本發明亦揭露一種發光二極體。

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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