耦合光電半導體結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099133197

專利證號

I 430458

專利獲證名稱

耦合光電半導體結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/03/11

技術說明

「耦合光電半導體結構及其製造方法」發明係關於一種耦合光電半導體結構及其製造方法，該耦合光電半導體結構包括複數個量子點單元，每一量子點單元包括複數個量子點、一捕獲層及一間隔層，該捕獲層覆蓋該等量子點，該間隔層設置於該捕獲層之一表面，每一相對上方量子點單元之量子點設置於每一相對下方量子點單元之間隔層之一表面，相對二量子點單元之量子點產生耦合能帶。藉此，能增加紅外光波長範圍的光伏特效應，且增加轉換效率。 The present invention relates to a coupled optoelectronic semiconductor structure and a method for making the same. The coupled optoelectronic semiconductor structure includes a plurality of quantum dot unit. Every quantum dot unit includes a plurality of quantum dots, a capturing layer and a spacer layer. The capturing layer covers the quantum dots, and the spacer layer is disposed on a surface of the capturing layer. The quantum dots of a quantum dot unit are disposed on a surface of a spacer layer correspondingly under the quantum dot unit, and quantum dots of every two corresponding quantum dot units are coupled to form coupled energy bands. Whereby, the photovaltaic effect for the range of wavelength of infrared is increased, and the transformation efficiency is increased.

備註

本部(收文號1060011881)同意該校106年2月17日中產營字第1061400161號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址