磊晶元件的分離方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099137459

專利證號

I 452621

專利獲證名稱

磊晶元件的分離方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2014/09/11

技術說明

一種磊晶元件的分離方法，包含：（a）於磊晶用基板頂面上形成適於磊晶成長並具有犧牲層的蝕刻限制膜；（b）於犧牲層頂面上形成與犧牲層具有高選擇蝕刻比的元件本體膜；（c）於元件本體膜頂面上形成具磁性的元件基板，及自元件基板頂面形成且深度至犧牲層的圖樣流道；及（d）經圖樣流道側向蝕刻移除犧牲層，且以磁力吸引元件基板，得到該等磊晶元件並回收磊晶用基板。本發明以圖樣流道配合磁力吸引，可快速分離磊晶用基板並製作出散熱性優良的磊晶元件，且製作的磊晶元件並無連結不同層體用時的膠、黏著劑而具有更佳的工作特性表現。不僅如此, 分離後之基板, 可經由清潔後, 再度重複用以磊晶, 製作太陽能電池, 發光二極體或其他相關之光電元件, 可有向降低元件製作成本. Crack-free single crystal epilayer is released from GaAs substrate by cross-shaped pattern epitaxial lift-off technology. The cross-shaped pattern array is used to define cell size and provide the etch path of etchant solution. The sacrificial layer is etched by etchant through the cross-shaped hole. Results indicate that the entire wafer can be etched simultaneously. The technique does not require a temporary carrier substrate to transfer the epilayers because the desired carrier substrate is directly deposited onto the backside of epilayers before the epitaxial lift-off process. The desired carrier, the electroplate nickel substrate, can be contacted directly to the epilayer without wax or low-viscosity epoxy, and can also be applied to a controllable external force via magnetic attraction to reduce the release time. After seperation process, the separated GaAs substrate can be recycled via chemical cleaning.

備註

本部(收文號1060078875)同意該校106年10月13日成大研總字第1064500910號函申請終止維護專利

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