(Ba1-xEux)Y2ZnO5白光發光二極體的螢光材料及其製造方法(BA1-XEUX)Y2ZNO5PHOSPHORS AND PRODUCING METHOD THEREOF | 專利查詢

(Ba1-xEux)Y2ZnO5白光發光二極體的螢光材料及其製造方法(BA1-XEUX)Y2ZNO5PHOSPHORS AND PRODUCING METHOD THEREOF


專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103145044

專利證號

I 553098

專利獲證名稱

(Ba1-xEux)Y2ZnO5白光發光二極體的螢光材料及其製造方法(BA1-XEUX)Y2ZNO5PHOSPHORS AND PRODUCING METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2016/10/11

技術說明

本研究以固態反應法製備 (Ba1-x Eu x)Y2ZnO5氧化物螢光粉,藉由Eu3+離子取代Ba2+晶格位置,探討其摻雜濃度對晶體結構與發光特性之影響。 於(Ba1-xEux)Y2ZnO5螢光粉系列中,由XRD結果顯示,在煆燒1250 oC持溫12小時條件下,可得知結構為斜方晶系BaY2ZnO5之 結晶結構。於低濃度Eu3+離子摻雜時,放射光譜主要分佈為以5D3→7FJ、5D2→7FJ躍遷為主;而隨著Eu3+離子濃度增加, 5D3→7FJ、5D2→7FJ能階躍遷強度逐漸減弱,其CIE色度座標由藍光轉為白光,CIE色度座標為x = 0.343, y = 0.278。而當Eu3+離子濃度大於7 mol%時,放射光座落於橙紅光區域,於Eu3+離子摻雜濃度為20 mol% 時,可達最佳發光強度,(5D0→7F2/5D0→7F1)反對稱指數約為1.16,遠小於以Eu3+離子取代Y3+離子所得之值,。 For (Ba1-xEux)Y2ZnO5 system, the XRD results demonstrated that the crystal structure of Ba1-xY2ZnO5:Eux3+ (x = 0~0.1) phosphors can be attributed to the orthorhombic BaY2ZnO5 phase. The SEM results also showed that there are no obvious differences on the surface morphology for BaY2ZnO5 doped with various Eu3+ ion concentrations. Under an excitation of 395 nm, the dominant transitions of (Ba1-xEux)Y2ZnO5 phosphors are 5D3→7FJ、5D2→7FJ for a low Eu3+ ion concentration. The (Ba1-xEux)Y2ZnO5 phosphor emit red luminescence when the x is higher than 0.2, and there is the strongest emission intensity for the Eu3+ ion concentration is 20 mol%. The chromaticity coordinate of (Ba1-xEux)Y2ZnO5 phosphors varies with the Eu3+-doped concentrations from blue → white → reddish. In particular, (Ba1.95Eu0.05)Y2ZnO5 phosphors show white light emission, which has CIE color coordinates x = 0.34, y = 0.28.

備註

本部(收文號1090068624)同意該校109年11月11日虎科大智財字第1093400139號函申請終止維護專利(虎科大)

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智財技轉組

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