電晶體之製造方法及應用該方法製得之電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095134537

專利證號

I 328874

專利獲證名稱

電晶體之製造方法及應用該方法製得之電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2010/08/11

技術說明

本發明主要是先在導電基板（或具導電薄膜的任意基板）上鍍一層介電材料（如：二氧化矽、氮化矽及鋁摻雜二氧化鈦…等）當 作絕緣層，再鍍上一層氧化鋅系列（如：鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅及銦摻雜氧化鋅）之薄膜，之後在其上以光微影 （photolithography）製程或任一圖案製作製程定義出電極圖案，以完成氧化鋅系列之薄膜電晶體電極（thin film transistor electrode fingers）。再將基板置入含有鋅的先驅物的水溶液中以水熱法(hydrothermal method)在低溫下 （<200℃）側向成長氧化鋅奈米線，使氧化鋅奈米線跨越在兩指叉狀電極間。如此即可在任意基板（包含可撓曲塑膠基板或不耐 高溫基板）上於低溫下製作出具有高遷移率與可撓性的單晶氧化鋅奈米線電晶體。

備註

本部(收文號1050039975)同意該校105年6月7日成大研總字第1054500403號函申請終止維護專利55件(成功)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

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