固晶結構之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104113228

專利證號

I 632701

專利獲證名稱

固晶結構之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2018/08/11

技術說明

本發明是一種固晶結構及其製造方法，其以複合金屬層作為發光二極體(light-emitting diode,LED)的固晶材料，前述的複合金屬層係以電鍍方式預先在一散熱基板上沉積多層金屬所構成。本發明之特點在於控制複合金屬層各層的厚度，使固晶反應僅發生在前述複合金屬層的交界面處，且部分金屬層在固晶反應結束後被完全消耗並生成介金屬化合物層(intermetallic compound,IMC)，藉此大幅提高固晶結構的耐熱能力。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址