微影機台及其應用Method for Fabricating Patterned Layer

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098107718

專利證號

I 407264

專利獲證名稱

微影機台及其應用Method for Fabricating Patterned Layer

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2013/09/01

技術說明

本發明係有關一種微影技術，特別是指一種應用於微影技術之電子束或離子束微影機台及其應用。 目前的先進微影製程係利用光學、電子束、奈米壓印的方式在特定的高分子塗層(其係對光線、電子束敏感之高分子材料)或者稱之為阻劑上經由化學反應或是熱流應力的變化來形成圖案，以作為後續圖形蝕刻轉移時所需的遮罩。本發明提供一種微影機台及其應用，其包含有一用以產生一電子束或離子束之電子束或離子束產生器；一用以承載一基材之基材承載台；以及一前驅氣體注入器，其係於基材上方注入一前驅氣體。本發明係利用電子束或離子束誘發位於基材上的前驅氣體反應、沉積於基材上，以達成單一步驟完成於基材上形成微影圖案層的製作，並有效利用電子束或離子束與前驅氣體之特性，達到高微影解析能力與避免污染物殘留。 A method for fabricating a patterned layer is disclosed. Firstly, a semiconductor substrate is provided. Then, a precursory gas on the semiconductor substrate is formed. Finally, a patterned layer on the semiconductor substrate is deposited by reacting the precursory gas with at least one electron beam or at least one ion beam. The present invention not only fabricates a patterned layer on the substrate in a single step but also achieves a high lithographic resolution and avoids remains of contaminations by using the properties of the electron beam or the ion beam and the precursory gas.

備註

本部(收文號1090075942)同意該院109年12月22日國研授半導體企院字第1091308204號函申請終止維護專利(財團法人國家實驗研究院)

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