PLASMA PROCESSING DEVICE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/653,642

專利證號

US 9,922,803 B2

專利獲證名稱

PLASMA PROCESSING DEVICE

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2018/03/20

技術說明

本發明提供一種電漿處理裝置，上部電極係設置於真空室內。下部電極係相對上部電極位置，而設置於真空室中，下部電極上係用以放置半導體晶圓。第一層板係設置於上部電極與下部電極之間，第一層板係具有複數個第一孔洞。第二層板係設置於第一層板與下部電極之間，第二層板係具有複數個第二孔洞。真空室內部係具有真空狀態，高頻電力提供於上部電極與下部電極，並於上部電極以及第三層板之間係產生電漿，電漿係依序通過第三孔洞、第一孔洞以及第二孔洞，以過濾電漿，並以過濾之電漿對半導體晶圓進行處理。 The invention provides a plasma processing device, wherein the upper electrode and the lower electrode are in the vacuum chamber. The chip is placed in the lower electrode. The first plate is placed between the upper electrode and the lower electrode, and the first plate includes the plurality of first voids. The second plate is between the first plate and the lower electrode, and the second plate includes a pluralityof second voids. The high frequency power is providedby the upper electrode and the lower electrode in the vacuum chamber, and the plasma is generated between the third and the upper electrode. The plasma is filtered by the third void, the first void, and the second void.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

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