具有雙股螺旋結構之生物多分子膜層之記憶體元件及其製作方法MEMORY DEVICE WITH A DOUBLE HELIX BIOPOLYMER LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/596,573

專利證號

US 8,772,081 B2

專利獲證名稱

具有雙股螺旋結構之生物多分子膜層之記憶體元件及其製作方法MEMORY DEVICE WITH A DOUBLE HELIX BIOPOLYMER LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2014/07/08

技術說明

本發明揭露可一次寫入並多次讀取之記憶體元件及其製作方法。所述記憶體元件之結構包含：一基底、一第一電極、一具有雙股螺旋結構之生物多分子膜層、及一第二電極，且具有雙股螺旋結構之生物多分子膜層中摻有複數個金屬奈米粒子分佈於其中。其中，第一電極設置於基底上，具有雙股螺旋結構之生物多分子膜層設置於第一電極及基底上方，以及第二電極設置於具有雙股螺旋結構之生物多分子膜層上方。當受光照後，此記憶體元件可出現低導電態和高導電態之特性以寫入資料，其後，當施加一電壓於第一電極及第二電極時，則可讀取所寫入之資料。 The present invention relates to a write-once and read- many-times memory device and the fabricating method thereof. The structure of the memory device comprises: a substrate, a first electrode, a double helix biopolymer layer and a second electrode, and a plurality of metal nanoparticles are distributed in the double helix biopolymer layer. The first electrode is disposed on the substrate, the double helix biopolymer layer is disposed on the first electrode and substrate, and the second electrode is disposed on the double helix biopolymer layer. When illuminating, the memory device will produce a low-conductivity state and high-conductivity state for writing data. Later, when a voltage is applied to the first electrode and the second electrode, the data will be read.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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