非串接式堆疊結構之太陽能電池及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098117434

專利證號

I 380459

專利獲證名稱

非串接式堆疊結構之太陽能電池及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2012/12/21

技術說明

本發明旨在揭示一種高效率低成本非串接式雙接面堆疊結構薄膜太陽能電池及其製作技術。此一結構之特徵在於利用寬能隙之上電池與窄能隙之下電池分別於短、長波長太陽光譜範圍內(上電池：＜　500~800 nm；下電池：＞　500~800 nm)進行較有效之太陽能轉換特性，可於單一受光面積下獲得雙電池之最佳光電轉換效益。其上、下電池因係以透明絕緣材料隔離，可避免傳統串接式堆疊式太陽電池結構有關上、下電池光電流之不匹配與上、下電池間透明導電層材料之導電性不佳等問題。 於製作技術方面則係整合水熱法成長ZnO-NWs技術及以ZnO-NWs為基材之異質接面結構製作兩種技術，於傳統低能隙太陽電池上方堆疊製作一種以ZnO-NWs為基材之寬能隙上太陽電池之技術。此一技術包括上/下太陽電池間絕緣層製作、上下表面電極圖案設計與製作、上/下電池光電特性之調變及耦合、上/下太陽電池響應光譜區隔範圍之最適調變、非串接式雙接面堆疊結構薄膜太陽電池設計製作等技術。 本發明所揭示之有關以ZnO-NWs之上電池、上/下太陽電池間絕緣層材料、上/下電池光電特性之調變及耦合與非串接式堆疊結構等技術，於學術上及技術上皆具有創新性，於應用上亦極具價值性。本發明所揭示有關非串接式雙接面堆疊結構薄膜太陽能電池之製作技術，具有具低成本、製作容易、可有效提升太陽能轉換效率之優勢，屬一技術上之創新，於促進太陽能光電產業之發展有極大助益與高經濟價值。 The present invention discloses a novel technology to develop high efficiency and low cost non-series connected dual junction tandem solar cells. Based on the hydrothermal growth of n-ZnO nanowires (ZnO-NWs) and its application of heterojunctions, the integration of ZnO-NWs based wide bandgap top cell and an organic/non-organic material-based narrow bandgap bottom cell based on is disclosed. It is highly expected that the technologies developed in the present invention would provide significant improvement in performance and cost of thin-film solar cells.

備註

本部(收文號1050039975)同意該校105年6月7日成大研總字第1054500403號函申請終止維護專利55件(成功)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址