Light emitting diode and method of fabricating the same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

15/589,061

專利證號

US 10,497,882 B2

專利獲證名稱

Light emitting diode and method of fabricating the same

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2019/12/03

技術說明

我們在傳統的LED結構中，發展了新型鈣鈦礦發光二極體(hybrid light-emitting diodes, LED)。相關參考文獻顯示，目前鈣鈦礦發光二極體發光亮度最高僅20,000 cd/m2左右。我們的報告提出了一個實際可行的方法以及兩個重要的關鍵參數，促使鈣鈦礦發光二極體在電壓8.5 V，407.65 mA/cm2下，亮度達到>65,300 cd/m2以上，發光效率(luminous efficiency, LE) >15 cd/A。此乃實際應用最高亮度與設計的新突破。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址