半極化氮化物的成長方法METHOD FOR GROWING SEMIPOLAR NITRIDE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/177,330

專利證號

US 8,524,583 B2

專利獲證名稱

半極化氮化物的成長方法METHOD FOR GROWING SEMIPOLAR NITRIDE

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2013/09/03

技術說明

一種半極化氮化物的成長方法，首先於一矽基板上形成複數個間隔並排的凹槽，該凹槽各具有一第一壁面以及一第二壁面，該第一壁面與該矽基板之表面間夾一傾斜角度。接著，於該矽基板之表面、該第一壁面與該第二壁面上形成一緩衝層，位於該第一壁面上之該緩衝層具有複數成長區域及複數與該成長區域互補之非成長區域。之後，於該緩衝層上形成一露出該成長區域的覆蓋層，最後，將一半極化氮化物成長於該成長區域，並覆蓋該覆蓋層。據此，本發明可減少半極化氮化物和矽基板之間因為熱應力而產生的龜裂現象，進而提升半極化氮化物的薄膜品質。 It is a method to grow semi-polar nitride-based material. Grooves are performed periodically with a specific angle between the sidewall on a Silicon substrate followed by depositing a buffer layer. SiO2 was deposited on this substrate to prevent GaN from growing but left a specific area without SiO2 on one sidewall for GaN to grow. As a result, this innovation not only can reduce the contact area between GaN and Silicon substrate to achieve crack-free GaN film but also low dislocation density in GaN.

備註

本部(收文號1060048584)同意該校106年7月13日中大研字第1061430172號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址