近源磁場變異偵測系統及其偵測方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108104269

專利證號

I 685666

專利獲證名稱

近源磁場變異偵測系統及其偵測方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2020/02/21

技術說明

一種近源磁場變異偵測方法，包括分別以一第一磁場感應器以及一第二磁場感應器量測磁場，其中第一磁場感應器以及第二磁場感應器係設置於一場域或場域之一周圍區域；以及計算一磁場差值，其中磁場差值係為（1）第一磁場感應器所量測到之一第一磁場向量以及第二磁場感應器所量測到之一第二磁場向量之差之大小、或（2）第一磁場感應器所量測到沿著一特徵方向之一第一感應器磁場分量以及第二磁場感應器所量測到沿著特徵方向之一第二感應器磁場分量之差之大小；其中（a）當磁場差值在一特徵時間內持續大於一特徵門檻值時、或（b）當磁場差值在一特徵平均時間內之平均值大於一特徵門檻平均值時，即發生一近源磁場變異。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址