光罩之製造方法MANUFACTURING METHOD OF PHOTOMASK

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100123951

專利證號

I 477893

專利獲證名稱

光罩之製造方法MANUFACTURING METHOD OF PHOTOMASK

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2015/03/21

技術說明

一種新型態的光罩製作技術。首先，透過微米等級的製程製作出具有尖錐狀的立體陣列式結構，接著於尖錐狀立體陣列式結構表面塗佈光阻擋層與蝕刻阻擋層，最後經由蝕刻製程的控制，可以在立體結構的尖端處，產生特徵圖案為次微米甚至是奈米尺度的陣列式三維立體光罩。此一新型式的立體光罩，可減少了光罩的損耗、縮小曝光時光徑的擴散、以及增加光罩與光阻層間的貼合度。此一光罩如果搭配一奈米精密定位平台，可以複製小線寬且多變化的特徵圖形於基板上的光阻層，達到次微米與奈米尺度製成的目的。 A method for fabricating a new type of photo-masks which contain arrayed convex 3D micro-structures and are capable of sub-micrometer/nano-scaled patterning. This novel fabrication process starts from conventional micro-scale fabrication methods to create arrayed and convex micro-structures with sharp points or edges. A light-stopping layer and a cover layer are then deposited on top of these micro-structures. By adjusting etching parameters on these two layers, a 3D photo-mask with sub-micro/nano-patterning capability is obtained. This novel mask can reduce contact damages, narrow the diameter of probe beam, and be in good contact with the photoresist. Working along with a precision moving stage, this mask can yield a variety of complicate patterns with sub-micrometer/nanometer line-width.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址