化學氣相沈積生成石墨烯之方法CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF GRAPHENE ON DIELECTRICS

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/592,957

專利證號

US 8,871,302 B2

專利獲證名稱

化學氣相沈積生成石墨烯之方法CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF GRAPHENE ON DIELECTRICS

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2014/10/28

技術說明

本發明提供一種生成石墨烯之方法，能將單層或多層石墨烯直接生成於絕緣基板、氧化物或介電材質基板上。此方法包括以下步驟：將一介電材質及一金屬設置於一反應器之中；通入一反應氣體至反應器內，且反應氣體經由高溫加熱裂解；以及直接沈積一薄膜於介電材質之一表面之上。其中，此方法所成長之石墨烯不僅同時具有高品質與低缺陷的特性，並免除了以往石墨烯製程中蝕刻與轉移的步驟，本發明極具潛力整合於生醫、電子、光電元件之應用。 The invention discloses a method for synthesizing graphene films. Monolayer or multilayer graphene can be directly grown on the dielectric materials. The method includes the following steps: disposing dielectric materials and a metal in a reactor; introducing reaction gases into the reactor and heating to decompose the reaction gases; and depositing a film on the surface of the dielectric materials. High crystalline quality and low-defect graphene can be synthesized directly on dielectric materials, without the process of wet etching and transfer. The disclosed method opens up the route to apply graphene on electronics, optoelectronics, and bio-med devices.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址