無電遷移效應與低電遷移效應之材料及其材料設計方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/657,273

專利證號

7,261,856B2

專利獲證名稱

無電遷移效應與低電遷移效應之材料及其材料設計方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2007/08/28

技術說明

本發明利用不同金屬材料具有正負不同有效電荷值之特性，將這些具 有正負不同有效電荷值之金屬材料製備成合金。此合金之有效電荷 值，為各組成金屬材料之莫耳分率、乘上各組成金屬材料有效電荷值 之總和。此計算所得之有效電荷值總和，可以做為選擇合金組成種類 與成份比例之依據。所製備之合金在電場作用下，合金中傾向與電子 流相同方向移動之原子、與傾向逆著電子流方向移動之原子互相牽 引，形成了在電場下無電遷移效應或低電遷移效應之合金。

備註

本部(第1080029889號)同意該校108年05月14日清智財字第1089003165號函報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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