利用二段式曝光製造小線寬高電子遷移率電晶體之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

南韓

專利申請案號

10-2020-0099487

專利證號

10-2429831

專利獲證名稱

利用二段式曝光製造小線寬高電子遷移率電晶體之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2022/08/02

技術說明

利用步進曝光機透過移動顯影位置和改變氮化矽厚度的二段式曝光取代電子束微影製程，使縮小線寬的同時，能避開電子束微影製程的缺點。 Two steps photolithography, which can replace E-beam lithography process through shifting the exposed area and changing the thickness of SiN by Stepper. It is feasible to avoid the drawbacks of E-beam lithography process while reducing the gate length.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址