P-N二極體光波感測之方法及裝置METHOD FOR PHOTO-DETECTING AND APPARATUS FOR THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/875,287

專利證號

US 7,579,668 B2

專利獲證名稱

P-N二極體光波感測之方法及裝置METHOD FOR PHOTO-DETECTING AND APPARATUS FOR THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2009/08/25

技術說明

本發明提出一種P-N二極體光波感測器及方法。該P-N二極體光波感測器包括一第一P-N二極體 及一第二P-N二極體。該第一P-N二極體具有一第一P-N接面，而該第一P-N接面具有一第一深 度，當該第一P-N二極體接受一光波照射後，可產生一第一電子訊號。該第二P-N二極體，則 具有一第二P-N接面，該第二P-N接面具有一第二深度，當該第二P-N二極體接收該光波照射 後，可產生一第二電子訊號。其中，該第二深度大於該第一深度，同時該第一電子訊號與該 第二電子訊號經一運算後，可得一第三電子訊號。

備註

本部(收文號1060029841)同意該校106年5月4日校研發字第1060033342號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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