絕緣層上矽晶1對2之1.3um/1.55um光波長多工/解多工器

專利類型

新型

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090222019

專利證號

213506

專利獲證名稱

絕緣層上矽晶1對2之1.3um/1.55um光波長多工/解多工器

專利所屬機關 (申請機關)

元智大學

獲證日期

2003/08/21

技術說明

本創作絕緣層上矽晶之光波長多工/解多工器係利用多模干涉效應設計出具有一個輸入埠、二 個輸出埠的光訊功率分波器。本創作對於輸入之光波可達到1.3um波段和1.55um波段在空間上 分歧輸出之效果，此特性已經由模擬得仃的頻譜圖証明，且在不同輸出埠所接受到的光訊干 擾和串音干擾都極小。本創作可減省矽晶圓體積，節省材料成本，可與現行半導體製程相 容，並具有寬頻效果。 A new 1x2 MultiMmode interference (MMI) Silicon-on-insuIator (SOI)optical wavelength division multiplexing (WDM) device based on waveguide technology is proposed. The wavelength bands of the proposed 1x2 MMI SOI WDMdevice can be designed with output bands 1.3um and 1.55um, respectively. The device insertion loss of 1x2 MMI SOI waveguide can be reduced to -4. 7dB (1.3um) and -5.30dB (1.55um). The crosstalk of output ports can be reduced below -22dB on the device, respectively. Such a device can be applied to WDM optical communication systems.

備註

92學年度-發證日930223

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

(03)4638800#2286

網址