快閃記憶體FLASH MEMORY

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/308,959

專利證號

US 8,836,009 B2

專利獲證名稱

快閃記憶體FLASH MEMORY

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/09/16

技術說明

近年來為了有效降低晶片面積和節省成本，邏輯與記憶體元件必須不斷的微縮。在奈米元件中，傳統的介電質材料將面臨物理極限。在此情況下，高介電係數介電質材料的研究似乎成為唯一的選擇。對於非揮發性記憶體而言，當元件不斷微縮至二十奈米，金屬-氧化層-氮化層-氧化層-矽(MONOS)電荷捕獲(Charge-Trapping)非揮發性記憶體將用來取代多晶矽(poly-Si)懸浮閘(Floating-Gate)記憶體。在不斷微縮垂直閘極堆疊厚度下，如何有好的電荷捕獲控制能力將是電荷捕獲記憶體面臨最主要的挑戰。然而，當氮化矽捕獲層厚度微縮至三奈米，其電荷捕獲效能、資料記憶視窗和資料保存特性將嚴重的衰退，為了改善電荷捕獲能力和資料保存性，使用具有深導帶能階(EC)的高介電係數介電質材料捕獲層是必要的。對未來的金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容而言，擁有高電容密度和保有低漏電流是必要的，此外，介電質厚度需小於十奈米才能符合三度空間微縮的DRAM結構。在本論文中，吾人將探討數種高介電係數介電質材料在電荷捕獲記憶體和金氧金電容上的應用。 Recently, the logic and memory devices size are being continuously scaled down to reduce the area of the chip and the cost. However traditional dielectric materials will face the physical limitation of nano devices. To meet this requirement, high dielectric constant (k) materials provide the only solution. For nonvolatile memory, to continue downscaling into sub-20-nm region, the metal-oxide-nitride-oxide-Si (MONOS) Charge-Trapping (CT) flash devices will be used to replace the poly-Si floating-gate (FG) flash memory.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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