一種可以用於製備免疫吸附牆之濃度梯度形成方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098120191

專利證號

I 358313

專利獲證名稱

一種可以用於製備免疫吸附牆之濃度梯度形成方法

專利所屬機關 (申請機關)

正修學校財團法人正修科技大學

獲證日期

2012/02/21

技術說明

本發明提出一種可運用於免疫吸附牆製作技術之濃度梯度形成方法；此一方法包括兩個階段，第一階段為在製備免疫吸附牆之前，先行準備好要作為稀釋用之緩衝溶液，並將其冰凍成為具有適當幾何狀態的緩衝固體，第二階段為依據部分不完全兩階段聚合法的原理，在低溫下，使免疫吸附劑或抗體之載體在聚合溶液中沉降之後，將第一階段準備好的緩衝固體，在不會擾動沉降之吸附劑或載體表面平整性的原則下，緩慢的置入聚合溶液之中，隨後，緩衝固體會自然的逐漸融化，因此，單體濃度也隨之降低，連帶的形成在沉降之吸附劑或載體內部的單體濃度梯度，最後，提高溫度啟動聚合反應，便可以完成免疫吸附牆之製備。 This invention presents a new concentration gradient formation method for manufacturing an immunoadsorption wall. This method can be divided into two stages. The first stage is preparation of a solid buffer ice with appropriate geometrical configuration prior to manufacturing an immunoadsorption wall. The second stage is, according to the principles of partially incompletely two stage polymerization method, to gently place the buffer ice within the polymer solution with minimal disturbance after the sedimentation of immunoadsorbent or activated support at low temperature; then, the buffer ice would melt naturally, thereby reducing the monomer concentration and leading to the formation of monomer concentration gradient within the settled immunoadsorbent or activated support. Finally, initiate the polymerization reaction at high temperature to complete manufacturing an immunoadsorption wall.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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