低功率之靜態隨機存取記憶體單胞

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092126407

專利證號

I223813

專利獲證名稱

低功率之靜態隨機存取記憶體單胞

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2004/11/11

技術說明

一種低功率之靜態隨機存取記憶體單胞，包含了二相互交叉對接的第一與第二反相器、至少一讀取電晶體、一寫入電晶體，以及一開關電晶體，每一反相器是由一拉昇電晶體與一拉降電晶體所構成，其間並形成有一節點，該開關電晶體是由串接於該第二反相器的拉降電晶體的源極上，以選擇地阻斷該位降電晶體與一接地線間的電性連接關係。一寫入位元線是連接於該寫入電晶體的一端上，在寫入位元"0"時，由於該寫入位元線毋需充放電，因此可大幅降低功率消耗，特別是由於該開關電晶體阻斷了第二反相器連接至地的路徑，因此在寫入位元"0"時，更可輕易地將該第二反相器之該節點準位拉昇。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址