以奈米粒子產生離子源之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098123774

專利證號

I 412052

專利獲證名稱

以奈米粒子產生離子源之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2013/10/11

技術說明

ㄧ種可降低離子源加熱溫度作為離子佈植的新方法。傳統半導體離子佈植製程中離子源所採用的材料為元素塊材，部分高熔點元素如金(1064°C)、銅(1085°C)、鈷(1495°C)等，因其熔點高(超過900°C)所以無法在較低的溫度環境中(10°C~800°C)產生足夠的蒸氣壓，不易應用於高佈植量的摻雜製程中，利用奈米粒子熔點較塊材低之特性，可應用作為於離子佈植製程中的離子源上，成功的提高了元素的蒸氣壓力及佈植離子的劑量，增加了半導體工業摻雜的應用範疇。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址