發光二極體Light Emitting Diode

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/558,507

專利證號

US 9,054,275 B1

專利獲證名稱

發光二極體Light Emitting Diode

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2015/06/09

技術說明

1. 開發單晶結構 GaO:Zn薄膜，其中XRD FWHM < 800 arsec，電洞濃度 > 5E19cm-3，在 270-280nm下穿透率大於80%。 2. 開發晶格匹配之InAlN/Al(Ga)N 結構，其中XRD FWHM < 500 arsec，電洞濃度 > 1E18cm-3，在270-280nm下穿透率大於90%。 3. 開發p-GaO:Zn/ p-(Al)GaN / p-InAlN /UV LED:365 nm 結構，其中晶片尺寸 45x45 mil，驅動電壓為3.3-3.5 V，發光功率 ~ 100mw (@350mA)，EQE 提高為10%。 4. 開發p-GaO:Zn /p-InAlN/p-AlGaN /UV LED:270-280 nm 結構，其中晶片尺寸 45x45 mil，驅動電壓為5.9 V，發光功率 ~ 8.4mw (@60mA)，EQE 提高為3.5%。 1.To developed GaO: Zn thin film, wherein XRD FWHM <800 arsec, hole concentration > 5E19cm-3 and under the 270-280nm transmittance> 80%. 2.To developed InAlN/Al(Ga)N thin film, wherein XRD FWHM <500 arsec, hole concentration > 1E18cm-3 and under the 270-280nm transmittance> 90%. 3.To development of p-GaO: Zn / p-(Al)GaN / p-InAlN / UV LED: 365 nm structure, wherein the chip size 45x45 mil, Vf is ~ 3.3-3.5 V, the light output power is ~ 320 mW at injection current of 350 mA and EQE increase to 10%. 4.To development of p-GaO:Zn /p-InAlN/p-AlGaN /UV LED:270-280 nm structure, wherein the chip size 45x45 mil, Vf is ~ 5.9 V, the light output power is ~ 8.4 mW at injection current of 60 mA and EQE increase to 3.5%.

備註

本部(收文號1110019123)同意該校111年4月1日興產字第1114300232號函申請終止維護專利(國立中興大學)

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04-22851811

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