HALIDE SEMICONDUCTOR MEMRISTOR AND NEUROMORPHIC DEVICE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/585,236

專利證號

US 11,107,981

專利獲證名稱

HALIDE SEMICONDUCTOR MEMRISTOR AND NEUROMORPHIC DEVICE

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2021/08/31

技術說明

本發明以一第一電極層、一主動層與一第二電極層組成一鹵化半導體憶阻器，其中該主動層包括形成於該第一電極層之上的一第一氧化物半導體薄膜、形成於該第一氧化物半導體薄膜之上的一鹵化物半導體薄膜、以及形成於該鹵化物半導體薄膜之上的一第二氧化物半導體薄膜。如此設計，可令一第一載子能障形成於該第一氧化物半導體薄膜與該鹵化物半導體薄膜之界面，且令一第二載子能障形成於該第二氧化物半導體薄膜與該鹵化物半導體薄膜之界面。實驗數據證實，本發明之鹵化半導體憶阻器除了可適用於作為一類神經元件之中的複數個人工突觸之外，其還同時具有低操作電壓、可多階調控之電阻狀態、和高動態調整範圍等優點。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址