具金屬反光層之光電極及其染料敏化太陽能電池結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099109476

專利證號

I 412142

專利獲證名稱

具金屬反光層之光電極及其染料敏化太陽能電池結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2013/10/11

技術說明

本發明的主要目的在於提供一種具金屬反光層之光電極，其係於多孔半導體粒子層上形成一金屬反光層，該金屬反光層係由複數個核殼型金屬複合粒子所組成，每一核殼型金屬複合粒子係具有一金屬粒子及一包覆該金屬粒子之透明絕緣層，在本實施例中，該金屬粒子係採用高反射率之金屬材質，如銀或銀合金，該透明絕緣層係採用高透明度、高絕緣性及耐化學性佳之二氧化矽(SiO2)，該透明絕緣層主要用以防止金屬粒子與多孔半導體粒子層產生電性導通及保護金屬粒子免於受到電解質溶液之腐蝕，該金屬反光層係可將穿透該多孔半導體粒子層之光反射回該多孔半導體粒子層，以使染料再吸收反射光，其係可提昇光電極之光吸收效率及提高染料敏化太陽能電池之光電轉換效率。 The main aim of this invention is to provide a photoelectrode with metal-based light reflective layer for enhancing dye-sensitized solar cell (DSSC) efficiency.

備註

本部(收文號1050043321)同意該校105年6月23日中產營字第1051400638號函申請終止維護專利35件(中山)。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

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