雙閘極金氧半導體場效電晶體元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

109118191

專利證號

I 748488

專利獲證名稱

雙閘極金氧半導體場效電晶體元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2021/12/01

技術說明

本申請案將提出“高電流具自我對準雙閘極薄膜電晶體之低成本結構設計與研究”，提出一個自我對準雙閘極薄膜電晶體結構的設計。此雙閘極結構較傳統雙閘極元件的光罩較少並且具備上下閘極自我對準功能。伴隨著源汲極抬升式結構的設計，可以改善傳統雙閘極結構汲極端電場加成而造成惡化的漏電流與扭結效應。此外此結構製作成本相較於傳統雙閘元件可以大幅改善，這符合了目前市場所需的趨勢。此結構有較低的元件漏電流和較大的導通電流值可以使的元件的電流開關比得到不小的改善，且此結構也可以應用於其他high-k或透光薄膜電晶體材料上。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

(04)24517250-6811

網址