磁控濺鍍設備

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098116586

專利證號

I 386507

專利獲證名稱

磁控濺鍍設備

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄第一科技大學

獲證日期

2013/02/21

技術說明

本發明的目的是提供一種磁控濺鍍設備，其具有較高的沉積速率。 本發明提出一種磁控濺鍍設備，能在一工作磁場下進行濺鍍，並包括一腔體、多個靶源、一置放座、多個第一磁鐵環與至少一第二磁鐵環。腔體具有一反應室與一圍繞反應室的壁體。靶源彼此相對地配置於反應室內。置放座配置於反應室內，並位於這些靶源之間，其中被鍍件置放於置放座。第一磁鐵環與第二磁鐵環配置於腔體，而第一磁鐵環圍繞反應室。各個第一磁鐵環具有一配置於壁體的第一磁極(first magnetic pole)，而第二磁鐵環具有一配置於壁體的第二磁極。各個第一磁極與第二磁極二者的形狀皆為環形，且第一磁極的磁性與第二磁極的磁性相反，其中工作磁場是由這些第一磁極與第二磁極所產生。透過上述磁鐵環(即第一磁鐵環與第二磁鐵環)所產生的工作磁場，本發明能提高磁控濺鍍設備的沉積速率，進而提升磁控濺鍍設備的效能。 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。 no

備註

該校已於104年6月30日來函(收創文號1040047798)繳回103-327-007及103-327-008等2件專利之領證及前3年年費補助款計新台幣12,160元。 本會(收文號1110064316)同意該校111年10月17日高科大產字第1112800380號函申請終止維護專利(國立高雄科技大學)

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