微波電漿產生源Microwave Plasma Generator

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/439,742

專利證號

US 7,714,248 B2

專利獲證名稱

微波電漿產生源Microwave Plasma Generator

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2010/05/11

技術說明

本發明公開了一種微波電漿產生器，此微波電漿產生器的組成包括了一個腔室、導電性無機物質、微量氣體和微波產生源。導電性無機物質和微量氣體被容納在約0.001~10托耳的內壓力之腔體內。通過照射導電性無機物質來激發微量氣體而產生乾淨和均勻的電漿，此電漿的產生過程簡單方便。而本發明的電漿產生器不僅操作方便快速，並且可以廣泛應用到半導體製造業和工藝等方面，例如，材料的修飾，蝕刻或清洗，以及粗加工和離子摻雜/混合體等。 The present invention discloses a microwave plasma generator which includes a chamber, a conductive inorganic substance, a trace gas and a microwave source. The conductive inorganic substance and the trace gas are housed in the chamber with an inner pressure about 0.001˜10 torr. By irradiating the conductive inorganic substance and exciting the trace gas, clean and uniform plasma will be generated. The plasma generator of this invention is easily operated and can be applied to semiconductor manufacturing processes, for example, material modification, etching/cleaning, roughing and ion doping/hybrid.

備註

本部(收文號1050015605)同意該校105年3月2日興產字1054300176號函申請同意專利讓與

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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